Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
GP1M009A090N
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Onderdeel nummer
GP1M009A090N
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-3P-3, SC-65-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-3PN
Vermogensdissipatie (max.)
312W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
900V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2324pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 46209 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanGP1M009A090N
GP1M009A090N Elektronische componenten
GP1M009A090N verkoop
GP1M009A090N Leverancier
GP1M009A090N Distributeur
GP1M009A090N Data tafel
GP1M009A090N Foto's
GP1M009A090N Prijs
GP1M009A090N Aanbod
GP1M009A090N Laagste prijs
GP1M009A090N Zoekopdracht
GP1M009A090N Inkoop
GP1M009A090N Chip