Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
GA10JT12-247

GA10JT12-247

TRANS SJT 1.2KV 10A
Onderdeel nummer
GA10JT12-247
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Bedrijfstemperatuur
175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247AB
Vermogensdissipatie (max.)
170W (Tc)
FET-type
-
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 10A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
-
Vgs (max.)
-
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 15921 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanGA10JT12-247
GA10JT12-247 Elektronische componenten
GA10JT12-247 verkoop
GA10JT12-247 Leverancier
GA10JT12-247 Distributeur
GA10JT12-247 Data tafel
GA10JT12-247 Foto's
GA10JT12-247 Prijs
GA10JT12-247 Aanbod
GA10JT12-247 Laagste prijs
GA10JT12-247 Zoekopdracht
GA10JT12-247 Inkoop
GA10JT12-247 Chip