Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Onderdeel nummer
EPC2111ENGRT
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Vermogen - Max
-
Apparaatpakket van leverancier
Die
FET-type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 37989 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2111ENGRT
EPC2111ENGRT Elektronische componenten
EPC2111ENGRT verkoop
EPC2111ENGRT Leverancier
EPC2111ENGRT Distributeur
EPC2111ENGRT Data tafel
EPC2111ENGRT Foto's
EPC2111ENGRT Prijs
EPC2111ENGRT Aanbod
EPC2111ENGRT Laagste prijs
EPC2111ENGRT Zoekopdracht
EPC2111ENGRT Inkoop
EPC2111ENGRT Chip