Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC2110ENGRT
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Vermogen - Max
-
Apparaatpakket van leverancier
Die
FET-type
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-functie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
120V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3.4A
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
80pF @ 60V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 7847 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT Elektronische componenten
EPC2110ENGRT verkoop
EPC2110ENGRT Leverancier
EPC2110ENGRT Distributeur
EPC2110ENGRT Data tafel
EPC2110ENGRT Foto's
EPC2110ENGRT Prijs
EPC2110ENGRT Aanbod
EPC2110ENGRT Laagste prijs
EPC2110ENGRT Zoekopdracht
EPC2110ENGRT Inkoop
EPC2110ENGRT Chip