Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2110

EPC2110

MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Onderdeel nummer
EPC2110
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
-
Pakket / doos
Die
Vermogen - Max
-
Apparaatpakket van leverancier
Die
FET-type
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-functie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
120V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3.4A
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
80pF @ 60V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 42123 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2110
EPC2110 Elektronische componenten
EPC2110 verkoop
EPC2110 Leverancier
EPC2110 Distributeur
EPC2110 Data tafel
EPC2110 Foto's
EPC2110 Prijs
EPC2110 Aanbod
EPC2110 Laagste prijs
EPC2110 Zoekopdracht
EPC2110 Inkoop
EPC2110 Chip