Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC2108ENGRT
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
9-VFBGA
Vermogen - Max
-
Apparaatpakket van leverancier
9-BGA (1.35x1.35)
FET-type
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-functie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
60V, 100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 12478 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT Elektronische componenten
EPC2108ENGRT verkoop
EPC2108ENGRT Leverancier
EPC2108ENGRT Distributeur
EPC2108ENGRT Data tafel
EPC2108ENGRT Foto's
EPC2108ENGRT Prijs
EPC2108ENGRT Aanbod
EPC2108ENGRT Laagste prijs
EPC2108ENGRT Zoekopdracht
EPC2108ENGRT Inkoop
EPC2108ENGRT Chip