Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC2107ENGRT
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
9-VFBGA
Vermogen - Max
-
Apparaatpakket van leverancier
9-BGA (1.35x1.35)
FET-type
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-functie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 26269 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT Elektronische componenten
EPC2107ENGRT verkoop
EPC2107ENGRT Leverancier
EPC2107ENGRT Distributeur
EPC2107ENGRT Data tafel
EPC2107ENGRT Foto's
EPC2107ENGRT Prijs
EPC2107ENGRT Aanbod
EPC2107ENGRT Laagste prijs
EPC2107ENGRT Zoekopdracht
EPC2107ENGRT Inkoop
EPC2107ENGRT Chip