Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2105ENG

EPC2105ENG

TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC2105ENG
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Discontinued at Digi-Key
Verpakking
Bulk
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Vermogen - Max
-
Apparaatpakket van leverancier
Die
FET-type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
80V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2.5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
300pF @ 40V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 17604 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2105ENG
EPC2105ENG Elektronische componenten
EPC2105ENG verkoop
EPC2105ENG Leverancier
EPC2105ENG Distributeur
EPC2105ENG Data tafel
EPC2105ENG Foto's
EPC2105ENG Prijs
EPC2105ENG Aanbod
EPC2105ENG Laagste prijs
EPC2105ENG Zoekopdracht
EPC2105ENG Inkoop
EPC2105ENG Chip