Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2103ENG

EPC2103ENG

TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC2103ENG
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tray
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Vermogen - Max
-
Apparaatpakket van leverancier
Die
FET-type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
80V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
23A
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
760pF @ 40V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 44249 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2103ENG
EPC2103ENG Elektronische componenten
EPC2103ENG verkoop
EPC2103ENG Leverancier
EPC2103ENG Distributeur
EPC2103ENG Data tafel
EPC2103ENG Foto's
EPC2103ENG Prijs
EPC2103ENG Aanbod
EPC2103ENG Laagste prijs
EPC2103ENG Zoekopdracht
EPC2103ENG Inkoop
EPC2103ENG Chip