Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2102ENG

EPC2102ENG

TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC2102ENG
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Discontinued at Digi-Key
Verpakking
Tray
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Vermogen - Max
-
Apparaatpakket van leverancier
Die
FET-type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
60V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
23A
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
830pF @ 30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 26363 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2102ENG
EPC2102ENG Elektronische componenten
EPC2102ENG verkoop
EPC2102ENG Leverancier
EPC2102ENG Distributeur
EPC2102ENG Data tafel
EPC2102ENG Foto's
EPC2102ENG Prijs
EPC2102ENG Aanbod
EPC2102ENG Laagste prijs
EPC2102ENG Zoekopdracht
EPC2102ENG Inkoop
EPC2102ENG Chip