Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Onderdeel nummer
EPC2100ENGRT
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Digi-Reel®
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Vermogen - Max
-
Apparaatpakket van leverancier
Die
FET-type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 53490 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2100ENGRT
EPC2100ENGRT Elektronische componenten
EPC2100ENGRT verkoop
EPC2100ENGRT Leverancier
EPC2100ENGRT Distributeur
EPC2100ENGRT Data tafel
EPC2100ENGRT Foto's
EPC2100ENGRT Prijs
EPC2100ENGRT Aanbod
EPC2100ENGRT Laagste prijs
EPC2100ENGRT Zoekopdracht
EPC2100ENGRT Inkoop
EPC2100ENGRT Chip