Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2016C

EPC2016C

TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC2016C
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Digi-Reel®
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Apparaatpakket van leverancier
Die
Vermogensdissipatie (max.)
-
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
420pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
5V
Vgs (max.)
+6V, -4V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 30933 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2016C
EPC2016C Elektronische componenten
EPC2016C verkoop
EPC2016C Leverancier
EPC2016C Distributeur
EPC2016C Data tafel
EPC2016C Foto's
EPC2016C Prijs
EPC2016C Aanbod
EPC2016C Laagste prijs
EPC2016C Zoekopdracht
EPC2016C Inkoop
EPC2016C Chip