EPC2012C
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC2012C
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Digi-Reel®
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Apparaatpakket van leverancier
Die Outline (4-Solder Bar)
Vermogensdissipatie (max.)
-
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
1.3nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
140pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
5V
Vgs (max.)
+6V, -4V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 27790 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanEPC2012C
EPC2012C Elektronische componenten
EPC2012C verkoop
EPC2012C Leverancier
EPC2012C Distributeur
EPC2012C Data tafel
EPC2012C Foto's
EPC2012C Prijs
EPC2012C Aanbod
EPC2012C Laagste prijs
EPC2012C Zoekopdracht
EPC2012C Inkoop
EPC2012C Chip