Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2012
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC2012
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Discontinued at Digi-Key
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Apparaatpakket van leverancier
Die
Vermogensdissipatie (max.)
-
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
145pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
5V
Vgs (max.)
+6V, -5V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 33217 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanEPC2012
EPC2012 Elektronische componenten
EPC2012 verkoop
EPC2012 Leverancier
EPC2012 Distributeur
EPC2012 Data tafel
EPC2012 Foto's
EPC2012 Prijs
EPC2012 Aanbod
EPC2012 Laagste prijs
EPC2012 Zoekopdracht
EPC2012 Inkoop
EPC2012 Chip