Koop Diodes Incorporated DMN2029USD-13 MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.

DataSheets

DMN2029USD-13

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

Onderdeel nummer

DMN2029USD-13

Fabrikant/merk

Diodes Incorporated

Serie

Onderdeelstatus

Active

Verpakking

Cut Tape (CT)

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montage type

Surface Mount

Pakket / doos

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vermogen - Max

1.2W

Apparaatpakket van leverancier

8-SO

FET-type

2 N-Channel (Dual)

FET-functie

Logic Level Gate

Afvoer naar bronspanning (Vdss)

20V

Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C

5.8A

Rds Aan (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 8V

Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds

1171pF @ 10V

Offerte aanvragen

Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.

Op voorraad 13564 PCS

Contactgegevens

Gerelateerde producten

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated