Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
C3M0120090D
900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Onderdeel nummer
C3M0120090D
Fabrikant/merk
Serie
C3M™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247-3
Vermogensdissipatie (max.)
97W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
900V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
17.3nC @ 15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
350pF @ 600V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
15V
Vgs (max.)
+18V, -8V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 48877 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanC3M0120090D
C3M0120090D Elektronische componenten
C3M0120090D verkoop
C3M0120090D Leverancier
C3M0120090D Distributeur
C3M0120090D Data tafel
C3M0120090D Foto's
C3M0120090D Prijs
C3M0120090D Aanbod
C3M0120090D Laagste prijs
C3M0120090D Zoekopdracht
C3M0120090D Inkoop
C3M0120090D Chip