Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
CDBJSC5650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Onderdeel nummer
CDBJSC5650-G
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
-
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-2 Full Pack
Apparaatpakket van leverancier
TO-220F
Diodetype
Silicon Carbide Schottky
Stroom - Gemiddeld gelijkgericht (Io)
5A (DC)
Spanning - Voorwaarts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 5A
Stroom - omgekeerde lekkage @ Vr
100µA @ 650V
Spanning - DC omgekeerd (Vr) (max.)
650V
Snelheid
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omgekeerde hersteltijd (trr)
0ns
Bedrijfstemperatuur - Verbinding
-55°C ~ 175°C
Capaciteit @ Vr, F
430pF @ 0V, 1MHz
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 43268 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanCDBJSC5650-G
CDBJSC5650-G Elektronische componenten
CDBJSC5650-G verkoop
CDBJSC5650-G Leverancier
CDBJSC5650-G Distributeur
CDBJSC5650-G Data tafel
CDBJSC5650-G Foto's
CDBJSC5650-G Prijs
CDBJSC5650-G Aanbod
CDBJSC5650-G Laagste prijs
CDBJSC5650-G Zoekopdracht
CDBJSC5650-G Inkoop
CDBJSC5650-G Chip