Afbeelding kan een representatie zijn. Zie specificaties voor productdetails.
NCP5106BDR2G
Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
Onderdeel nummer
NCP5106BDR2G
Categorie
Power Chip > Gate Driver IC
Fabrikant/merk
onsemi (Ansemi)
Inkapseling
SOIC-8-150mil
Inpakken
taping
Aantal pakketten
2500
Beschrijving
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.