onsemi (Ansemi)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
NCP5106BDR2G Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side

NCP5106BDR2G

Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
Onderdeel nummer
NCP5106BDR2G
Categorie
Power Chip > Gate Driver IC
Fabrikant/merk
onsemi (Ansemi)
Inkapseling
SOIC-8-150mil
Inpakken
taping
Aantal pakketten
2500
Beschrijving
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 75348 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanNCP5106BDR2G
NCP5106BDR2G Elektronische componenten
NCP5106BDR2G verkoop
NCP5106BDR2G Leverancier
NCP5106BDR2G Distributeur
NCP5106BDR2G Data tafel
NCP5106BDR2G Foto's
NCP5106BDR2G Prijs
NCP5106BDR2G Aanbod
NCP5106BDR2G Laagste prijs
NCP5106BDR2G Zoekopdracht
NCP5106BDR2G Inkoop
NCP5106BDR2G Chip